HD6362
IC
TO252-2L
可供量大可议
HD6362
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装， 额定电压30V， 峰值电流高达100A， 专为大电流、高效率电源转换和电机驱动等应用设计， 提供卓越的开关性能与低损耗特性， 是高性能消费级电子设备的理想组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO252-2L
库存
170
货期
现货
HD6362参数
| 封装 | TO252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 170 |
HD6362概述
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装， 额定电压30V， 峰值电流高达100A， 专为大电流、高效率电源转换和电机驱动等应用设计， 提供卓越的开关性能与低损耗特性， 是高性能消费级电子设备的理想组件。
HD6362特性
暂无产品特性。
HD6362应用领域
暂无应用领域。