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HD510N110SG
IC

PDFN-8(5x6)

可供量大可议

HD510N110SG

N沟道MOSFET, 高密度单元设计实现超低导通电阻, 电压控制小信号开关, 开关速度快

品牌

R+O

封装

PDFN-8(5x6)

库存

340

货期

现货

HD510N110SG参数

封装PDFN-8(5x6)
品牌R+O(宏嘉诚)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存340

HD510N110SG概述

N沟道MOSFET, 高密度单元设计实现超低导通电阻, 电压控制小信号开关, 开关速度快

HD510N110SG特性

暂无产品特性。

HD510N110SG应用领域

暂无应用领域。

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