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HD510N075SG
IC

PDFN-8(5x6)

可供量大可议

HD510N075SG

N沟道MOSFET, 具有低栅极电荷和导通电阻, 采用先进的分裂栅沟槽技术, 开关速度快

品牌

R+O

封装

PDFN-8(5x6)

库存

2,896

货期

现货

HD510N075SG参数

封装PDFN-8(5x6)
品牌R+O(宏嘉诚)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存2896

HD510N075SG概述

N沟道MOSFET, 具有低栅极电荷和导通电阻, 采用先进的分裂栅沟槽技术, 开关速度快

HD510N075SG特性

暂无产品特性。

HD510N075SG应用领域

暂无应用领域。

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