HD510N060SG
IC
PDFN-8(5x6)
可供量大可议
HD510N060SG
N沟道MOSFET， 采用高密度单元设计和先进的分裂栅沟槽技术， 具备超低导通电阻和快速开关速度， 适用于DC-DC转换器、电机控制和便携式设备应用
品牌
R+O
封装
PDFN-8(5x6)
库存
59,117
货期
现货
HD510N060SG参数
| 封装 | PDFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 59117 |
HD510N060SG概述
N沟道MOSFET， 采用高密度单元设计和先进的分裂栅沟槽技术， 具备超低导通电阻和快速开关速度， 适用于DC-DC转换器、电机控制和便携式设备应用
HD510N060SG特性
暂无产品特性。
HD510N060SG应用领域
暂无应用领域。