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HD508N052SG
IC

PDFN-8(5x6)

可供量大可议

HD508N052SG

N沟道MOSFET, 采用高密度单元设计和先进的分裂栅沟槽技术, 开关速度快

Brand

R+O

Package

PDFN-8(5x6)

Stock

697

货期

现货

HD508N052SGParameters

封装PDFN-8(5x6)
品牌R+O(宏嘉诚)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存697

HD508N052SG概述

N沟道MOSFET, 采用高密度单元设计和先进的分裂栅沟槽技术, 开关速度快

HD508N052SG特性

暂无产品特性。

HD508N052SG应用领域

暂无应用领域。

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