HD506N330S
IC
PDFN-8L(5x6)
可供量大可议
HD506N330S
特性：VDS = 60 V。 ID = 20 A。 RDS(on)@VGS = 10 V < 29 mΩ。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 电压控制小信号开关。 快速开关速度。 应用：功率开关应用。 硬开关和高频电路
品牌
R+O
封装
PDFN-8L(5x6)
库存
4
货期
现货
HD506N330S参数
| 封装 | PDFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
HD506N330S概述
特性：VDS = 60 V。 ID = 20 A。 RDS(on)@VGS = 10 V < 29 mΩ。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 电压控制小信号开关。 快速开关速度。 应用：功率开关应用。 硬开关和高频电路
HD506N330S特性
暂无产品特性。
HD506N330S应用领域
暂无应用领域。