HD506N032SG
IC
PDFN-8(5x6)
可供量大可议
HD506N032SG
N沟道MOSFET， 采用先进分裂栅沟槽技术， 具有高密度单元设计和快速开关速度， 适用于功率开关应用
Brand
R+O
Package
PDFN-8(5x6)
Stock
4,853
货期
现货
HD506N032SGParameters
| 封装 | PDFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4853 |
HD506N032SG概述
N沟道MOSFET， 采用先进分裂栅沟槽技术， 具有高密度单元设计和快速开关速度， 适用于功率开关应用
HD506N032SG特性
暂无产品特性。
HD506N032SG应用领域
暂无应用领域。