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HD504N015SG
IC

PDFN-8(5x6)

可供量大可议

HD504N015SG

N沟道MOSFET, 采用高密度单元设计和先进的分裂栅沟槽技术, 具备快速开关速度

品牌

R+O

封装

PDFN-8(5x6)

库存

5,432

货期

现货

HD504N015SG参数

封装PDFN-8(5x6)
品牌R+O(宏嘉诚)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存5432

HD504N015SG概述

N沟道MOSFET, 采用高密度单元设计和先进的分裂栅沟槽技术, 具备快速开关速度

HD504N015SG特性

暂无产品特性。

HD504N015SG应用领域

暂无应用领域。

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