HD503N220D
IC
PDFN-8(5x6)
可供量大可议
HD503N220D
特性：VDS = 30V。 ID = 35A。 RDS(on)@VGS = 10V < 13mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 20mΩ。 沟槽技术功率MOSFET。 低栅极电阻。 应用：功率开关应用。 硬开关和高频电路
品牌
R+O
封装
PDFN-8(5x6)
库存
19
货期
现货
HD503N220D参数
| 封装 | PDFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
HD503N220D概述
特性：VDS = 30V。 ID = 35A。 RDS(on)@VGS = 10V < 13mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 20mΩ。 沟槽技术功率MOSFET。 低栅极电阻。 应用：功率开关应用。 硬开关和高频电路
HD503N220D特性
暂无产品特性。
HD503N220D应用领域
暂无应用领域。