HD503N080SG
IC
PDFN-8(5x6)
可供量大可议
HD503N080SG
N沟道MOSFET， 具有低栅极电荷和导通电阻， 采用先进的分裂栅沟槽技术， 开关速度快， 适用于电源开关和DC-DC转换器应用
品牌
R+O
封装
PDFN-8(5x6)
库存
4,655
货期
现货
HD503N080SG参数
| 封装 | PDFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4655 |
HD503N080SG概述
N沟道MOSFET， 具有低栅极电荷和导通电阻， 采用先进的分裂栅沟槽技术， 开关速度快， 适用于电源开关和DC-DC转换器应用
HD503N080SG特性
暂无产品特性。
HD503N080SG应用领域
暂无应用领域。