HD503N080S
IC
PDFN-8L(5x6)
可供量大可议
HD503N080S
特性：漏源电压（VDS）：30V。 漏极电流（ID）：50A。 栅源电压为10V时， 漏源导通电阻（RDS(on)）< 8mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。 快速开关速度。 应用：电池保护。 负载开关
品牌
R+O
封装
PDFN-8L(5x6)
库存
45,085
货期
现货
HD503N080S参数
| 封装 | PDFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45085 |
HD503N080S概述
特性：漏源电压（VDS）：30V。 漏极电流（ID）：50A。 栅源电压为10V时， 漏源导通电阻（RDS(on)）< 8mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。 快速开关速度。 应用：电池保护。 负载开关
HD503N080S特性
暂无产品特性。
HD503N080S应用领域
暂无应用领域。