HD503N020SG
IC
PDFN-8(5x6)
可供量大可议
HD503N020SG
N沟道MOSFET， 具有高密度单元设计、超低导通电阻、电压控制小信号开关和快速开关速度， 适用于电源开关和DC-DC转换器
品牌
R+O
封装
PDFN-8(5x6)
库存
9,651
货期
现货
HD503N020SG参数
| 封装 | PDFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9651 |
HD503N020SG概述
N沟道MOSFET， 具有高密度单元设计、超低导通电阻、电压控制小信号开关和快速开关速度， 适用于电源开关和DC-DC转换器
HD503N020SG特性
暂无产品特性。
HD503N020SG应用领域
暂无应用领域。