HD304P140S
IC
PDFN-8L(3x3)
可供量大可议
HD304P140S
特性：漏源电压（VDS）：40V。 漏极电流（ID）：50A。 栅源电压为10V时的导通电阻（RDS(on)@VGS = 10V）：< 14mΩ。 栅源电压为4.5V时的导通电阻（RDS(on)@VGS = 4.5V）：< 18mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。 应用：DC-DC转换器。 负载开关
品牌
R+O
封装
PDFN-8L(3x3)
库存
86,155
货期
现货
HD304P140S参数
| 封装 | PDFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 86155 |
HD304P140S概述
特性：漏源电压（VDS）：40V。 漏极电流（ID）：50A。 栅源电压为10V时的导通电阻（RDS(on)@VGS = 10V）：< 14mΩ。 栅源电压为4.5V时的导通电阻（RDS(on)@VGS = 4.5V）：< 18mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。 应用：DC-DC转换器。 负载开关
HD304P140S特性
暂无产品特性。
HD304P140S应用领域
暂无应用领域。