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HD303N110DG
IC

PDFN-8(3x3)

可供量大可议

HD303N110DG

双N沟道MOSFET, 低栅极电荷和导通电阻, 采用先进分裂栅沟槽技术, 开关速度快

品牌

R+O

封装

PDFN-8(3x3)

库存

5,005

货期

现货

HD303N110DG参数

封装PDFN-8(3x3)
品牌R+O(宏嘉诚)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存5005

HD303N110DG概述

双N沟道MOSFET, 低栅极电荷和导通电阻, 采用先进分裂栅沟槽技术, 开关速度快

HD303N110DG特性

暂无产品特性。

HD303N110DG应用领域

暂无应用领域。

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