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HD303N070S
IC

PDFN-8(3x3)

可供量大可议

HD303N070S

N沟道MOSFET, 采用TrenchPower LVMOSFET技术, 适用于电压控制小信号开关, 具备快速开关速度

品牌

R+O

封装

PDFN-8(3x3)

库存

5,150

货期

现货

HD303N070S参数

封装PDFN-8(3x3)
品牌R+O(宏嘉诚)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存5150

HD303N070S概述

N沟道MOSFET, 采用TrenchPower LVMOSFET技术, 适用于电压控制小信号开关, 具备快速开关速度

HD303N070S特性

暂无产品特性。

HD303N070S应用领域

暂无应用领域。

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