HD303N030S
IC
PDFN-8(3x3)
可供量大可议
HD303N030S
特性：VDS = 30V。 ID = 80A。 RDS(on)@VGS = 10V < 3.2mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 6mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。 应用：DC-DC转换器。 电源管理
品牌
R+O
封装
PDFN-8(3x3)
库存
5
货期
现货
HD303N030S参数
| 封装 | PDFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
HD303N030S概述
特性：VDS = 30V。 ID = 80A。 RDS(on)@VGS = 10V < 3.2mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 6mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。 应用：DC-DC转换器。 电源管理
HD303N030S特性
暂无产品特性。
HD303N030S应用领域
暂无应用领域。