HCS65R380S-FM-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的额定漏极电流（ID）， 导通电阻（RDON）低至260mΩ， 可有效减少导通损耗。 栅源电压范围为-5V至+16V， 支持稳定可靠的栅极驱动控制。 基于碳化硅材料的特性， 器件具有优异的耐高温性能和快速开关能力， 适用于高频率、高效率的电力转换电路。 典型应用场景包括高效开关电源、不间断电源、可再生能源发电系统中的功率变换模块， 有助于提升系统功率密度与能效水平。