HCPL2731M

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。 与传统的达林顿光电耦合器相比， 分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来， 使得输出饱和电压更低， 运行速度更快。 在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中， 集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。 0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口， 同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。 内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。