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HCPL2611M
IC

DIP-8

可供量大可议

HCPL2611M

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED, 与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。 此输出具有一个开路集电极, 允许有线 OR 输出。 耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。 最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流(扇出 8)。 内部干扰屏蔽提供卓越的共模抑制, 通常为 10kV/us。 HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。 HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

品牌

onsemi

封装

DIP-8

库存

84

货期

现货

HCPL2611M参数

封装DIP-8
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 1
分类逻辑输出光耦
库存84

HCPL2611M概述

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED, 与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。 此输出具有一个开路集电极, 允许有线 OR 输出。 耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。 最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流(扇出 8)。 内部干扰屏蔽提供卓越的共模抑制, 通常为 10kV/us。 HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。 HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

HCPL2611M特性

暂无产品特性。

HCPL2611M应用领域

暂无应用领域。

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