HCPL2611M
IC
DIP-8
可供量大可议
HCPL2611M
6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED, 与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。 此输出具有一个开路集电极, 允许有线 OR 输出。 耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。 最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流(扇出 8)。 内部干扰屏蔽提供卓越的共模抑制, 通常为 10kV/us。 HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。 HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。
品牌
onsemi
封装
DIP-8
库存
84
货期
现货
HCPL2611M参数
| 封装 | DIP-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 逻辑输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 84 |
HCPL2611M概述
6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED, 与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。 此输出具有一个开路集电极, 允许有线 OR 输出。 耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。 最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流(扇出 8)。 内部干扰屏蔽提供卓越的共模抑制, 通常为 10kV/us。 HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。 HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。
HCPL2611M特性
暂无产品特性。
HCPL2611M应用领域
暂无应用领域。
