HCNW2611-300E

是光耦合门， 结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。 使能输入允许对探测器进行选通。 探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。 内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时， 共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。 这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时， 提供了最大的交流和直流电路隔离。 光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证， 确保系统无故障运行。