HCG65200DBA
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
HCG65200DBA
为您推荐新一代氮化镓技术的N沟道场效应管, 突破性地实现了650V高耐压与10A持续漏极电流的卓越组合。 其160毫欧的低导通电阻, 在确保高效能的同时, 优化了电力转换效率。 这款器件专为高能效电源转换与快速开关应用而生, 是追求高性能、紧凑设计的理想元件。 选择它, 为您的创新电子项目注入澎湃动力。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
25
货期
现货
HCG65200DBA参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) |
|---|---|
| 库存 | 25 |
HCG65200DBA概述
为您推荐新一代氮化镓技术的N沟道场效应管, 突破性地实现了650V高耐压与10A持续漏极电流的卓越组合。 其160毫欧的低导通电阻, 在确保高效能的同时, 优化了电力转换效率。 这款器件专为高能效电源转换与快速开关应用而生, 是追求高性能、紧凑设计的理想元件。 选择它, 为您的创新电子项目注入澎湃动力。
HCG65200DBA特性
暂无产品特性。
HCG65200DBA应用领域
暂无应用领域。
