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HCG65200DBA
IC

DFN-8L(5x6)

可供量大可议

HCG65200DBA

为您推荐新一代氮化镓技术的N沟道场效应管, 突破性地实现了650V高耐压与10A持续漏极电流的卓越组合。 其160毫欧的低导通电阻, 在确保高效能的同时, 优化了电力转换效率。 这款器件专为高能效电源转换与快速开关应用而生, 是追求高性能、紧凑设计的理想元件。 选择它, 为您的创新电子项目注入澎湃动力。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(5x6)

库存

25

货期

现货

HCG65200DBA参数

封装DFN-8L(5x6)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类氮化镓晶体管(GaN HEMT)
库存25

HCG65200DBA概述

为您推荐新一代氮化镓技术的N沟道场效应管, 突破性地实现了650V高耐压与10A持续漏极电流的卓越组合。 其160毫欧的低导通电阻, 在确保高效能的同时, 优化了电力转换效率。 这款器件专为高能效电源转换与快速开关应用而生, 是追求高性能、紧凑设计的理想元件。 选择它, 为您的创新电子项目注入澎湃动力。

HCG65200DBA特性

暂无产品特性。

HCG65200DBA应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

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