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HCG65140DBA
IC

DFN-8L(5x6)

可供量大可议

HCG65140DBA

为您精选的这款氮化镓场效应管, 采用先进的N沟道设计, 工作在高达650V的漏源电压下, 能够承载连续17A的大电流, 性能卓越。 其导通电阻低至100毫欧, 确保了极低的导通损耗和高效的能量转换。 这款器件是高功率密度及高频应用的理想选择, 特别适合追求极致效能的现代电子设计, 为您的创新项目注入高效动力。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(5x6)

库存

48

货期

现货

HCG65140DBA参数

封装DFN-8L(5x6)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类氮化镓晶体管(GaN HEMT)
库存48

HCG65140DBA概述

为您精选的这款氮化镓场效应管, 采用先进的N沟道设计, 工作在高达650V的漏源电压下, 能够承载连续17A的大电流, 性能卓越。 其导通电阻低至100毫欧, 确保了极低的导通损耗和高效的能量转换。 这款器件是高功率密度及高频应用的理想选择, 特别适合追求极致效能的现代电子设计, 为您的创新项目注入高效动力。

HCG65140DBA特性

暂无产品特性。

HCG65140DBA应用领域

暂无应用领域。

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