HCG65140DBA
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
HCG65140DBA
为您精选的这款氮化镓场效应管, 采用先进的N沟道设计, 工作在高达650V的漏源电压下, 能够承载连续17A的大电流, 性能卓越。 其导通电阻低至100毫欧, 确保了极低的导通损耗和高效的能量转换。 这款器件是高功率密度及高频应用的理想选择, 特别适合追求极致效能的现代电子设计, 为您的创新项目注入高效动力。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
48
货期
现货
HCG65140DBA参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
HCG65140DBA概述
为您精选的这款氮化镓场效应管, 采用先进的N沟道设计, 工作在高达650V的漏源电压下, 能够承载连续17A的大电流, 性能卓越。 其导通电阻低至100毫欧, 确保了极低的导通损耗和高效的能量转换。 这款器件是高功率密度及高频应用的理想选择, 特别适合追求极致效能的现代电子设计, 为您的创新项目注入高效动力。
HCG65140DBA特性
暂无产品特性。
HCG65140DBA应用领域
暂无应用领域。
