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HCG65140DAA
IC

DFN-8(8x8)

可供量大可议

HCG65140DAA

为您献上高性能氮化镓场效应管, 采用先进N沟道设计。 该器件具备650V高漏源电压承受力, 连续漏极电流高达17A, 满足高功率需求。 更令人瞩目的是其100毫欧低导通电阻, 在确保电流顺畅通过的同时, 大幅度降低能耗, 提升系统效率。 适配于各类高能效电源转换解决方案, 为您的创新电子产品带来前所未有的速度与能效比, 引领科技绿色升级。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8(8x8)

库存

130

货期

现货

HCG65140DAA参数

封装DFN-8(8x8)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类氮化镓晶体管(GaN HEMT)
库存130

HCG65140DAA概述

为您献上高性能氮化镓场效应管, 采用先进N沟道设计。 该器件具备650V高漏源电压承受力, 连续漏极电流高达17A, 满足高功率需求。 更令人瞩目的是其100毫欧低导通电阻, 在确保电流顺畅通过的同时, 大幅度降低能耗, 提升系统效率。 适配于各类高能效电源转换解决方案, 为您的创新电子产品带来前所未有的速度与能效比, 引领科技绿色升级。

HCG65140DAA特性

暂无产品特性。

HCG65140DAA应用领域

暂无应用领域。

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