HCG65140DAA
IC
DFN-8(8x8)
可供量大可议
HCG65140DAA
为您献上高性能氮化镓场效应管, 采用先进N沟道设计。 该器件具备650V高漏源电压承受力, 连续漏极电流高达17A, 满足高功率需求。 更令人瞩目的是其100毫欧低导通电阻, 在确保电流顺畅通过的同时, 大幅度降低能耗, 提升系统效率。 适配于各类高能效电源转换解决方案, 为您的创新电子产品带来前所未有的速度与能效比, 引领科技绿色升级。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8(8x8)
库存
130
货期
现货
HCG65140DAA参数
| 封装 | DFN-8(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) |
|---|---|
| 库存 | 130 |
HCG65140DAA概述
为您献上高性能氮化镓场效应管, 采用先进N沟道设计。 该器件具备650V高漏源电压承受力, 连续漏极电流高达17A, 满足高功率需求。 更令人瞩目的是其100毫欧低导通电阻, 在确保电流顺畅通过的同时, 大幅度降低能耗, 提升系统效率。 适配于各类高能效电源转换解决方案, 为您的创新电子产品带来前所未有的速度与能效比, 引领科技绿色升级。
HCG65140DAA特性
暂无产品特性。
HCG65140DAA应用领域
暂无应用领域。
