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HCFTVS5V0BULC
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

HCFTVS5V0BULC

这款双向ESD静电保护二极管, 专为单一信号线设计, 耐压5V, 峰值电流处理能力达4A, 能有效抵御静电冲击, 保护电路。 其超低电容0.5pF, 确保高速信号无损通过, 是小型电子设备及高频率应用中静电防护的理想元件, 强化系统抗扰度。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

360

货期

现货

HCFTVS5V0BULC参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存360

HCFTVS5V0BULC概述

这款双向ESD静电保护二极管, 专为单一信号线设计, 耐压5V, 峰值电流处理能力达4A, 能有效抵御静电冲击, 保护电路。 其超低电容0.5pF, 确保高速信号无损通过, 是小型电子设备及高频率应用中静电防护的理想元件, 强化系统抗扰度。

HCFTVS5V0BULC特性

暂无产品特性。

HCFTVS5V0BULC应用领域

暂无应用领域。

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