HCFTVS5V0BULC
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HCFTVS5V0BULC
这款双向ESD静电保护二极管, 专为单一信号线设计, 耐压5V, 峰值电流处理能力达4A, 能有效抵御静电冲击, 保护电路。 其超低电容0.5pF, 确保高速信号无损通过, 是小型电子设备及高频率应用中静电防护的理想元件, 强化系统抗扰度。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
360
货期
现货
HCFTVS5V0BULC参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 360 |
HCFTVS5V0BULC概述
这款双向ESD静电保护二极管, 专为单一信号线设计, 耐压5V, 峰值电流处理能力达4A, 能有效抵御静电冲击, 保护电路。 其超低电容0.5pF, 确保高速信号无损通过, 是小型电子设备及高频率应用中静电防护的理想元件, 强化系统抗扰度。
HCFTVS5V0BULC特性
暂无产品特性。
HCFTVS5V0BULC应用领域
暂无应用领域。
