HCF65R1K0
IC
TO-220F
可供量大可议
HCF65R1K0
特性：4.0A, 650V, RDS(on)(Typ) =800mΩ@VGS=10V。 低栅极电荷。 低Crss。 100%雪崩测试。 快速开关。 改善的dv/dt能力。 应用：高频开关模式电源。 有源功率因数校正
Brand
HUAKE
Package
TO-220F
Stock
960
货期
现货
HCF65R1K0Parameters
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HUAKE(华科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 960 |
HCF65R1K0概述
特性：4.0A, 650V, RDS(on)(Typ) =800mΩ@VGS=10V。 低栅极电荷。 低Crss。 100%雪崩测试。 快速开关。 改善的dv/dt能力。 应用：高频开关模式电源。 有源功率因数校正
HCF65R1K0特性
暂无产品特性。
HCF65R1K0应用领域
暂无应用领域。