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HCESD1006UC3V3B
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

HCESD1006UC3V3B

这款双向ESD保护二极管, 为3.3V电压平台定制, 单一通道设计。 4A峰值电流吸收效能, 有效抵御静电冲击, 保护电路安全。 0.3pF的超低电容特性, 最大限度减少信号干扰, 是保障高速数据线路免受静电威胁的高性能解决方案。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

210

货期

现货

HCESD1006UC3V3B参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存210

HCESD1006UC3V3B概述

这款双向ESD保护二极管, 为3.3V电压平台定制, 单一通道设计。 4A峰值电流吸收效能, 有效抵御静电冲击, 保护电路安全。 0.3pF的超低电容特性, 最大限度减少信号干扰, 是保障高速数据线路免受静电威胁的高性能解决方案。

HCESD1006UC3V3B特性

暂无产品特性。

HCESD1006UC3V3B应用领域

暂无应用领域。

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