HCESD1006UC3V3B
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HCESD1006UC3V3B
这款双向ESD保护二极管, 为3.3V电压平台定制, 单一通道设计。 4A峰值电流吸收效能, 有效抵御静电冲击, 保护电路安全。 0.3pF的超低电容特性, 最大限度减少信号干扰, 是保障高速数据线路免受静电威胁的高性能解决方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
210
货期
现货
HCESD1006UC3V3B参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 210 |
HCESD1006UC3V3B概述
这款双向ESD保护二极管, 为3.3V电压平台定制, 单一通道设计。 4A峰值电流吸收效能, 有效抵御静电冲击, 保护电路安全。 0.3pF的超低电容特性, 最大限度减少信号干扰, 是保障高速数据线路免受静电威胁的高性能解决方案。
HCESD1006UC3V3B特性
暂无产品特性。
HCESD1006UC3V3B应用领域
暂无应用领域。
