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HCESD1006LC5VBL-M
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

HCESD1006LC5VBL-M

精心设计的双向ESD保护二极管, 专为单一信号通路服务, 5V工作电压下稳定可靠, 2.5A峰值电流处理能力保驾护航, 有效对抗静电威胁。 2.5pF低电容特性, 确保高速信号无延迟通过, 为现代微电子应用提供既隐蔽又强大的静电防护。

Brand

HXY MOSFET

Package

DFN1006-2L

Stock

80

货期

现货

HCESD1006LC5VBL-MParameters

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存80

HCESD1006LC5VBL-M概述

精心设计的双向ESD保护二极管, 专为单一信号通路服务, 5V工作电压下稳定可靠, 2.5A峰值电流处理能力保驾护航, 有效对抗静电威胁。 2.5pF低电容特性, 确保高速信号无延迟通过, 为现代微电子应用提供既隐蔽又强大的静电防护。

HCESD1006LC5VBL-M特性

暂无产品特性。

HCESD1006LC5VBL-M应用领域

暂无应用领域。

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