HCESD1006LC5VBL-M
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HCESD1006LC5VBL-M
精心设计的双向ESD保护二极管, 专为单一信号通路服务, 5V工作电压下稳定可靠, 2.5A峰值电流处理能力保驾护航, 有效对抗静电威胁。 2.5pF低电容特性, 确保高速信号无延迟通过, 为现代微电子应用提供既隐蔽又强大的静电防护。
Brand
HXY MOSFET
Package
DFN1006-2L
Stock
80
货期
现货
HCESD1006LC5VBL-MParameters
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 80 |
HCESD1006LC5VBL-M概述
精心设计的双向ESD保护二极管, 专为单一信号通路服务, 5V工作电压下稳定可靠, 2.5A峰值电流处理能力保驾护航, 有效对抗静电威胁。 2.5pF低电容特性, 确保高速信号无延迟通过, 为现代微电子应用提供既隐蔽又强大的静电防护。
HCESD1006LC5VBL-M特性
暂无产品特性。
HCESD1006LC5VBL-M应用领域
暂无应用领域。
