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HCESD1006LC5VB-M
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

HCESD1006LC5VB-M

该ESD静电保护二极管为双向单通道设计, 工作电压5V, 能有效承受2.5A瞬时冲击电流, 确保电路安全性。 其超低2.5pF电容特性, 完美适应高速信号环境, 不影响数据传输质量, 为各类精密电子设备提供隐形的静电防护盾。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

680

货期

现货

HCESD1006LC5VB-M参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存680

HCESD1006LC5VB-M概述

该ESD静电保护二极管为双向单通道设计, 工作电压5V, 能有效承受2.5A瞬时冲击电流, 确保电路安全性。 其超低2.5pF电容特性, 完美适应高速信号环境, 不影响数据传输质量, 为各类精密电子设备提供隐形的静电防护盾。

HCESD1006LC5VB-M特性

暂无产品特性。

HCESD1006LC5VB-M应用领域

暂无应用领域。

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