HCESD1006LC5VB-M
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HCESD1006LC5VB-M
该ESD静电保护二极管为双向单通道设计, 工作电压5V, 能有效承受2.5A瞬时冲击电流, 确保电路安全性。 其超低2.5pF电容特性, 完美适应高速信号环境, 不影响数据传输质量, 为各类精密电子设备提供隐形的静电防护盾。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
680
货期
现货
HCESD1006LC5VB-M参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 680 |
HCESD1006LC5VB-M概述
该ESD静电保护二极管为双向单通道设计, 工作电压5V, 能有效承受2.5A瞬时冲击电流, 确保电路安全性。 其超低2.5pF电容特性, 完美适应高速信号环境, 不影响数据传输质量, 为各类精密电子设备提供隐形的静电防护盾。
HCESD1006LC5VB-M特性
暂无产品特性。
HCESD1006LC5VB-M应用领域
暂无应用领域。
