HCDDFN2-T3.3B
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HCDDFN2-T3.3B
该器件为单路双向ESD静电抑制二极管， 具备3.3V最大连续工作电压(VRWM)， 能承受9A峰值瞬态电流(IPP)冲击， 兼具15皮法低结电容(CJ)， 专为高密度电路设计， 旨在实现优异的信号透明度与静电防护效能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
55
货期
现货
HCDDFN2-T3.3B参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 55 |
HCDDFN2-T3.3B概述
该器件为单路双向ESD静电抑制二极管， 具备3.3V最大连续工作电压(VRWM)， 能承受9A峰值瞬态电流(IPP)冲击， 兼具15皮法低结电容(CJ)， 专为高密度电路设计， 旨在实现优异的信号透明度与静电防护效能。
HCDDFN2-T3.3B特性
暂无产品特性。
HCDDFN2-T3.3B应用领域
暂无应用领域。