HCD65R360
IC
TO-252
可供量大可议
HCD65R360
特性：11.0A, 650V。 RDS(on)(Typ) = 340mΩ @ VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 100%雪崩测试。 快速开关。 应用：高频开关模式电源。 有源功率因数校正
品牌
HUAKE
封装
TO-252
库存
2,397
货期
现货
HCD65R360参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | HUAKE(华科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2397 |
HCD65R360概述
特性：11.0A, 650V。 RDS(on)(Typ) = 340mΩ @ VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 100%雪崩测试。 快速开关。 应用：高频开关模式电源。 有源功率因数校正
HCD65R360特性
暂无产品特性。
HCD65R360应用领域
暂无应用领域。