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HC6D25170H
IC

TO-247-2L

可供量大可议

HC6D25170H

这款碳化硅二极管具有25A的最大连续正向电流(IF/A), 能够承受高达1700V的反向电压(VR/V), 保证了其在高压环境下的可靠性。 该二极管的正向电压降(VF/V)仅为1.4V, 在大电流工作条件下能够有效降低能耗。 在反向偏压下, 其漏电流(IR/uA)控制在200微安以下, 显示出了良好的阻断性能。 瞬态条件下, 此二极管可处理高达225A的正向浪涌电流(IFSM/A), 增强了其应对瞬时过载的能力。 这些特性使得该元件适用于要求苛刻的电路设计中, 如高性能电源转换及高频开关电路等场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247-2L

库存

22

货期

现货

HC6D25170H参数

封装TO-247-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存22

HC6D25170H概述

这款碳化硅二极管具有25A的最大连续正向电流(IF/A), 能够承受高达1700V的反向电压(VR/V), 保证了其在高压环境下的可靠性。 该二极管的正向电压降(VF/V)仅为1.4V, 在大电流工作条件下能够有效降低能耗。 在反向偏压下, 其漏电流(IR/uA)控制在200微安以下, 显示出了良好的阻断性能。 瞬态条件下, 此二极管可处理高达225A的正向浪涌电流(IFSM/A), 增强了其应对瞬时过载的能力。 这些特性使得该元件适用于要求苛刻的电路设计中, 如高性能电源转换及高频开关电路等场景。

HC6D25170H特性

暂无产品特性。

HC6D25170H应用领域

暂无应用领域。

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