HC6D25170H
IC
TO-247-2L
可供量大可议
HC6D25170H
这款碳化硅二极管具有25A的最大连续正向电流(IF/A), 能够承受高达1700V的反向电压(VR/V), 保证了其在高压环境下的可靠性。 该二极管的正向电压降(VF/V)仅为1.4V, 在大电流工作条件下能够有效降低能耗。 在反向偏压下, 其漏电流(IR/uA)控制在200微安以下, 显示出了良好的阻断性能。 瞬态条件下, 此二极管可处理高达225A的正向浪涌电流(IFSM/A), 增强了其应对瞬时过载的能力。 这些特性使得该元件适用于要求苛刻的电路设计中, 如高性能电源转换及高频开关电路等场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247-2L
库存
22
货期
现货
HC6D25170H参数
| 封装 | TO-247-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 22 |
HC6D25170H概述
这款碳化硅二极管具有25A的最大连续正向电流(IF/A), 能够承受高达1700V的反向电压(VR/V), 保证了其在高压环境下的可靠性。 该二极管的正向电压降(VF/V)仅为1.4V, 在大电流工作条件下能够有效降低能耗。 在反向偏压下, 其漏电流(IR/uA)控制在200微安以下, 显示出了良好的阻断性能。 瞬态条件下, 此二极管可处理高达225A的正向浪涌电流(IFSM/A), 增强了其应对瞬时过载的能力。 这些特性使得该元件适用于要求苛刻的电路设计中, 如高性能电源转换及高频开关电路等场景。
HC6D25170H特性
暂无产品特性。
HC6D25170H应用领域
暂无应用领域。
