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HC6D10065G
IC

TO-263

可供量大可议

HC6D10065G

这款碳化硅二极管设计精良, 具备10安培的额定正向电流IF和650伏特的反向峰值电压VR, 满足高功率应用需求。 其正向压降VF仅为1.3伏特, 有助于降低功耗并提高效率。 反向漏电流IR控制在50微安, 确保设备在高温工作环境中的稳定性。 最大非重复正向浪涌电流IFSM为80安培, 增强了器件的抗冲击能力。 适用于高频开关电源、光伏逆变器等高效率、高可靠性要求的电路设计中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-263

库存

4

货期

现货

HC6D10065G参数

封装TO-263
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存4

HC6D10065G概述

这款碳化硅二极管设计精良, 具备10安培的额定正向电流IF和650伏特的反向峰值电压VR, 满足高功率应用需求。 其正向压降VF仅为1.3伏特, 有助于降低功耗并提高效率。 反向漏电流IR控制在50微安, 确保设备在高温工作环境中的稳定性。 最大非重复正向浪涌电流IFSM为80安培, 增强了器件的抗冲击能力。 适用于高频开关电源、光伏逆变器等高效率、高可靠性要求的电路设计中。

HC6D10065G特性

暂无产品特性。

HC6D10065G应用领域

暂无应用领域。

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