HC6D10065G
IC
TO-263
可供量大可议
HC6D10065G
这款碳化硅二极管设计精良, 具备10安培的额定正向电流IF和650伏特的反向峰值电压VR, 满足高功率应用需求。 其正向压降VF仅为1.3伏特, 有助于降低功耗并提高效率。 反向漏电流IR控制在50微安, 确保设备在高温工作环境中的稳定性。 最大非重复正向浪涌电流IFSM为80安培, 增强了器件的抗冲击能力。 适用于高频开关电源、光伏逆变器等高效率、高可靠性要求的电路设计中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263
库存
4
货期
现货
HC6D10065G参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 4 |
HC6D10065G概述
这款碳化硅二极管设计精良, 具备10安培的额定正向电流IF和650伏特的反向峰值电压VR, 满足高功率应用需求。 其正向压降VF仅为1.3伏特, 有助于降低功耗并提高效率。 反向漏电流IR控制在50微安, 确保设备在高温工作环境中的稳定性。 最大非重复正向浪涌电流IFSM为80安培, 增强了器件的抗冲击能力。 适用于高频开关电源、光伏逆变器等高效率、高可靠性要求的电路设计中。
HC6D10065G特性
暂无产品特性。
HC6D10065G应用领域
暂无应用领域。
