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HC6D08065A
IC

TO-220H-2L

可供量大可议

HC6D08065A

该款碳化硅二极管提供8A的正向电流能力(IF/A), 并支持高达650V的反向电压(VR/V), 适用于需要高耐压特性的电子设备。 其正向电压降(VF/V)为1.3V, 在导通期间有助于降低功耗。 二极管的反向漏电流(IR/uA)控制在50微安, 展示了优异的阻断特性。 此外, 其瞬时正向浪涌电流(IFSM/A)可达64A, 使其能够在短时间内承受较大的电流冲击, 适用于高频开关及电源转换等精密电路设计中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220H-2L

库存

1

货期

现货

HC6D08065A参数

封装TO-220H-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存1

HC6D08065A概述

该款碳化硅二极管提供8A的正向电流能力(IF/A), 并支持高达650V的反向电压(VR/V), 适用于需要高耐压特性的电子设备。 其正向电压降(VF/V)为1.3V, 在导通期间有助于降低功耗。 二极管的反向漏电流(IR/uA)控制在50微安, 展示了优异的阻断特性。 此外, 其瞬时正向浪涌电流(IFSM/A)可达64A, 使其能够在短时间内承受较大的电流冲击, 适用于高频开关及电源转换等精密电路设计中。

HC6D08065A特性

暂无产品特性。

HC6D08065A应用领域

暂无应用领域。

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