HC6D08065A
IC
TO-220H-2L
可供量大可议
HC6D08065A
该款碳化硅二极管提供8A的正向电流能力(IF/A), 并支持高达650V的反向电压(VR/V), 适用于需要高耐压特性的电子设备。 其正向电压降(VF/V)为1.3V, 在导通期间有助于降低功耗。 二极管的反向漏电流(IR/uA)控制在50微安, 展示了优异的阻断特性。 此外, 其瞬时正向浪涌电流(IFSM/A)可达64A, 使其能够在短时间内承受较大的电流冲击, 适用于高频开关及电源转换等精密电路设计中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220H-2L
库存
1
货期
现货
HC6D08065A参数
| 封装 | TO-220H-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 1 |
HC6D08065A概述
该款碳化硅二极管提供8A的正向电流能力(IF/A), 并支持高达650V的反向电压(VR/V), 适用于需要高耐压特性的电子设备。 其正向电压降(VF/V)为1.3V, 在导通期间有助于降低功耗。 二极管的反向漏电流(IR/uA)控制在50微安, 展示了优异的阻断特性。 此外, 其瞬时正向浪涌电流(IFSM/A)可达64A, 使其能够在短时间内承受较大的电流冲击, 适用于高频开关及电源转换等精密电路设计中。
HC6D08065A特性
暂无产品特性。
HC6D08065A应用领域
暂无应用领域。
