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HC6D06065E
IC

TO-252-2L

可供量大可议

HC6D06065E

这款碳化硅二极管具有6安培的最大正向电流(IF/A), 并且能够承受最高650伏特的反向电压(VR/V)。 其正向压降(VF/V)仅为1.3伏特, 在确保高效导电的同时, 有效降低了能量损耗。 该二极管在反向偏置条件下, 漏电流(IR/uA)控制在50微安以下, 表明其在关闭状态下的漏电极低。 此外, 它拥有高达48安培的瞬态浪涌电流能力(IFSM/A), 能够在短时间内处理较大的电流波动而不损坏。 这些特性使得它适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效率和可靠性的电子设备中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

8

货期

现货

HC6D06065E参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存8

HC6D06065E概述

这款碳化硅二极管具有6安培的最大正向电流(IF/A), 并且能够承受最高650伏特的反向电压(VR/V)。 其正向压降(VF/V)仅为1.3伏特, 在确保高效导电的同时, 有效降低了能量损耗。 该二极管在反向偏置条件下, 漏电流(IR/uA)控制在50微安以下, 表明其在关闭状态下的漏电极低。 此外, 它拥有高达48安培的瞬态浪涌电流能力(IFSM/A), 能够在短时间内处理较大的电流波动而不损坏。 这些特性使得它适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效率和可靠性的电子设备中。

HC6D06065E特性

暂无产品特性。

HC6D06065E应用领域

暂无应用领域。

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