HC6D06065E
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HC6D06065E
这款碳化硅二极管具有6安培的最大正向电流(IF/A), 并且能够承受最高650伏特的反向电压(VR/V)。 其正向压降(VF/V)仅为1.3伏特, 在确保高效导电的同时, 有效降低了能量损耗。 该二极管在反向偏置条件下, 漏电流(IR/uA)控制在50微安以下, 表明其在关闭状态下的漏电极低。 此外, 它拥有高达48安培的瞬态浪涌电流能力(IFSM/A), 能够在短时间内处理较大的电流波动而不损坏。 这些特性使得它适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效率和可靠性的电子设备中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
8
货期
现货
HC6D06065E参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 8 |
HC6D06065E概述
这款碳化硅二极管具有6安培的最大正向电流(IF/A), 并且能够承受最高650伏特的反向电压(VR/V)。 其正向压降(VF/V)仅为1.3伏特, 在确保高效导电的同时, 有效降低了能量损耗。 该二极管在反向偏置条件下, 漏电流(IR/uA)控制在50微安以下, 表明其在关闭状态下的漏电极低。 此外, 它拥有高达48安培的瞬态浪涌电流能力(IFSM/A), 能够在短时间内处理较大的电流波动而不损坏。 这些特性使得它适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效率和可靠性的电子设备中。
HC6D06065E特性
暂无产品特性。
HC6D06065E应用领域
暂无应用领域。
