HC4D20120H
IC
TO-247-2L
可供量大可议
HC4D20120H
这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247-2L封装， 具有1200V高反向耐压和20A大电流承载能力， 其正向导通电压VF为1.5V。 专为高端电源转换、电动汽车充电系统及工业应用打造， 提供卓越的高温稳定性和快速恢复性能， 实现高效能电力整流解决方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247-2L
库存
60
货期
现货
HC4D20120H参数
| 封装 | TO-247-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 60 |
HC4D20120H概述
这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247-2L封装， 具有1200V高反向耐压和20A大电流承载能力， 其正向导通电压VF为1.5V。 专为高端电源转换、电动汽车充电系统及工业应用打造， 提供卓越的高温稳定性和快速恢复性能， 实现高效能电力整流解决方案。
HC4D20120H特性
暂无产品特性。
HC4D20120H应用领域
暂无应用领域。