HC4D20120A
IC
TO-220-2L
可供量大可议
HC4D20120A
这款碳化硅肖特基二极管采用TO-220-2L封装， 具有1200V高反向耐压及高达20A的连续正向电流能力， 其正向导通电压VF为1.5V。 专为高性能电源转换、电动汽车充电和工业逆变器设计， 提供卓越的高温稳定性、超低损耗及快速开关特性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220-2L
库存
14
货期
现货
HC4D20120A参数
| 封装 | TO-220-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 14 |
HC4D20120A概述
这款碳化硅肖特基二极管采用TO-220-2L封装， 具有1200V高反向耐压及高达20A的连续正向电流能力， 其正向导通电压VF为1.5V。 专为高性能电源转换、电动汽车充电和工业逆变器设计， 提供卓越的高温稳定性、超低损耗及快速开关特性。
HC4D20120A特性
暂无产品特性。
HC4D20120A应用领域
暂无应用领域。