HC4D10120H
IC
TO-247-2L
可供量大可议
HC4D10120H
这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247-2L封装, 具有1200V高反向耐压和10A连续正向电流承载能力, 其正向导通电压VF为1.5V。 专为高效能、高压电力转换系统设计, 如新能源汽车充电器及工业级电源设备, 提供卓越的高温稳定性和快速恢复整流效能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247-2L
库存
18
货期
现货
HC4D10120H参数
| 封装 | TO-247-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 18 |
HC4D10120H概述
这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247-2L封装, 具有1200V高反向耐压和10A连续正向电流承载能力, 其正向导通电压VF为1.5V。 专为高效能、高压电力转换系统设计, 如新能源汽车充电器及工业级电源设备, 提供卓越的高温稳定性和快速恢复整流效能。
HC4D10120H特性
暂无产品特性。
HC4D10120H应用领域
暂无应用领域。
