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HC4D10120H
IC

TO-247-2L

可供量大可议

HC4D10120H

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247-2L封装, 具有1200V高反向耐压和10A连续正向电流承载能力, 其正向导通电压VF为1.5V。 专为高效能、高压电力转换系统设计, 如新能源汽车充电器及工业级电源设备, 提供卓越的高温稳定性和快速恢复整流效能。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247-2L

库存

18

货期

现货

HC4D10120H参数

封装TO-247-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存18

HC4D10120H概述

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247-2L封装, 具有1200V高反向耐压和10A连续正向电流承载能力, 其正向导通电压VF为1.5V。 专为高效能、高压电力转换系统设计, 如新能源汽车充电器及工业级电源设备, 提供卓越的高温稳定性和快速恢复整流效能。

HC4D10120H特性

暂无产品特性。

HC4D10120H应用领域

暂无应用领域。

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