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HC4D10120E
IC

TO-252-2L(DPAK)

可供量大可议

HC4D10120E

这款碳化硅二极管具有10A的正向电流(IF/A), 能够承受高达1200V的反向电压(VR/V), 适用于要求严苛的高电压和大电流场合。 其正向电压降(VF/V)为1.4V, 有助于降低导通损耗, 提升整体效率。 反向漏电流(IR/uA)为100微安, 显示了良好的阻断能力。 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)达到90A, 表明该二极管可以应对短时间内的电流峰值, 适用于高频开关和其他需要快速响应与高可靠性的电路设计。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L(DPAK)

库存

389

货期

现货

HC4D10120E参数

封装TO-252-2L(DPAK)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存389

HC4D10120E概述

这款碳化硅二极管具有10A的正向电流(IF/A), 能够承受高达1200V的反向电压(VR/V), 适用于要求严苛的高电压和大电流场合。 其正向电压降(VF/V)为1.4V, 有助于降低导通损耗, 提升整体效率。 反向漏电流(IR/uA)为100微安, 显示了良好的阻断能力。 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)达到90A, 表明该二极管可以应对短时间内的电流峰值, 适用于高频开关和其他需要快速响应与高可靠性的电路设计。

HC4D10120E特性

暂无产品特性。

HC4D10120E应用领域

暂无应用领域。

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