HC4D10120E
IC
TO-252-2L(DPAK)
可供量大可议
HC4D10120E
这款碳化硅二极管具有10A的正向电流(IF/A), 能够承受高达1200V的反向电压(VR/V), 适用于要求严苛的高电压和大电流场合。 其正向电压降(VF/V)为1.4V, 有助于降低导通损耗, 提升整体效率。 反向漏电流(IR/uA)为100微安, 显示了良好的阻断能力。 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)达到90A, 表明该二极管可以应对短时间内的电流峰值, 适用于高频开关和其他需要快速响应与高可靠性的电路设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L(DPAK)
库存
389
货期
现货
HC4D10120E参数
| 封装 | TO-252-2L(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 389 |
HC4D10120E概述
这款碳化硅二极管具有10A的正向电流(IF/A), 能够承受高达1200V的反向电压(VR/V), 适用于要求严苛的高电压和大电流场合。 其正向电压降(VF/V)为1.4V, 有助于降低导通损耗, 提升整体效率。 反向漏电流(IR/uA)为100微安, 显示了良好的阻断能力。 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)达到90A, 表明该二极管可以应对短时间内的电流峰值, 适用于高频开关和其他需要快速响应与高可靠性的电路设计。
HC4D10120E特性
暂无产品特性。
HC4D10120E应用领域
暂无应用领域。
