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HC4D10120D
IC

TO-247-3L

可供量大可议

HC4D10120D

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247封装, 具有1200V高反向耐压和高达10A的连续正向电流能力, 其正向导通电压VF低至1.4V。 专为高效、高压环境设计, 应用于电力转换器、新能源汽车充电系统以及工业级电源设备中, 实现快速恢复与低损耗的高性能整流功能。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247-3L

库存

16

货期

现货

HC4D10120D参数

封装TO-247-3L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存16

HC4D10120D概述

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247封装, 具有1200V高反向耐压和高达10A的连续正向电流能力, 其正向导通电压VF低至1.4V。 专为高效、高压环境设计, 应用于电力转换器、新能源汽车充电系统以及工业级电源设备中, 实现快速恢复与低损耗的高性能整流功能。

HC4D10120D特性

暂无产品特性。

HC4D10120D应用领域

暂无应用领域。

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