HC4D10120D
IC
TO-247-3L
可供量大可议
HC4D10120D
这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247封装, 具有1200V高反向耐压和高达10A的连续正向电流能力, 其正向导通电压VF低至1.4V。 专为高效、高压环境设计, 应用于电力转换器、新能源汽车充电系统以及工业级电源设备中, 实现快速恢复与低损耗的高性能整流功能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247-3L
库存
16
货期
现货
HC4D10120D参数
| 封装 | TO-247-3L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 16 |
HC4D10120D概述
这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247封装, 具有1200V高反向耐压和高达10A的连续正向电流能力, 其正向导通电压VF低至1.4V。 专为高效、高压环境设计, 应用于电力转换器、新能源汽车充电系统以及工业级电源设备中, 实现快速恢复与低损耗的高性能整流功能。
HC4D10120D特性
暂无产品特性。
HC4D10120D应用领域
暂无应用领域。
