HC4D05120E
IC
TO-252-2L(DPAK)
可供量大可议
HC4D05120E
这款碳化硅二极管具有5A的正向电流(IF/A), 能够承受最高达1200V的反向电压(VR/V), 确保了其在高电压环境下的可靠性。 该二极管的正向电压降(VF/V)仅为1.4V, 在保证高效能的同时减少了能量损耗。 其反向漏电流(IR/uA)控制在100微安以内, 显示出良好的阻断性能。 此外, 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达45A, 表明该二极管能够在短时间内处理较大的电流波动, 适用于需要高效率及高可靠性的电路设计中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L(DPAK)
库存
47
货期
现货
HC4D05120E参数
| 封装 | TO-252-2L(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 47 |
HC4D05120E概述
这款碳化硅二极管具有5A的正向电流(IF/A), 能够承受最高达1200V的反向电压(VR/V), 确保了其在高电压环境下的可靠性。 该二极管的正向电压降(VF/V)仅为1.4V, 在保证高效能的同时减少了能量损耗。 其反向漏电流(IR/uA)控制在100微安以内, 显示出良好的阻断性能。 此外, 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达45A, 表明该二极管能够在短时间内处理较大的电流波动, 适用于需要高效率及高可靠性的电路设计中。
HC4D05120E特性
暂无产品特性。
HC4D05120E应用领域
暂无应用领域。
