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HC4D05120E
IC

TO-252-2L(DPAK)

可供量大可议

HC4D05120E

这款碳化硅二极管具有5A的正向电流(IF/A), 能够承受最高达1200V的反向电压(VR/V), 确保了其在高电压环境下的可靠性。 该二极管的正向电压降(VF/V)仅为1.4V, 在保证高效能的同时减少了能量损耗。 其反向漏电流(IR/uA)控制在100微安以内, 显示出良好的阻断性能。 此外, 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达45A, 表明该二极管能够在短时间内处理较大的电流波动, 适用于需要高效率及高可靠性的电路设计中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L(DPAK)

库存

47

货期

现货

HC4D05120E参数

封装TO-252-2L(DPAK)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存47

HC4D05120E概述

这款碳化硅二极管具有5A的正向电流(IF/A), 能够承受最高达1200V的反向电压(VR/V), 确保了其在高电压环境下的可靠性。 该二极管的正向电压降(VF/V)仅为1.4V, 在保证高效能的同时减少了能量损耗。 其反向漏电流(IR/uA)控制在100微安以内, 显示出良好的阻断性能。 此外, 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达45A, 表明该二极管能够在短时间内处理较大的电流波动, 适用于需要高效率及高可靠性的电路设计中。

HC4D05120E特性

暂无产品特性。

HC4D05120E应用领域

暂无应用领域。

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