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HC4D02120E
IC

TO-252-2L(DPAK)

可供量大可议

HC4D02120E

此款碳化硅二极管具备2A的正向电流(IF/A), 可承受高达1200V的反向电压(VR/V), 适用于需要高电压稳定性的电子设备。 其正向电压(VF/V)为1.4V, 有助于减少能量损失, 提高系统效率。 该二极管的反向漏电流(IR/uA)仅为8微安, 展示出优异的隔离特性。 同时, 它能够承受最高24A的瞬态正向浪涌电流(IFSM/A), 增强了在复杂电路条件下的可靠性与耐用性, 是追求高性能应用的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L(DPAK)

库存

164

货期

现货

HC4D02120E参数

封装TO-252-2L(DPAK)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存164

HC4D02120E概述

此款碳化硅二极管具备2A的正向电流(IF/A), 可承受高达1200V的反向电压(VR/V), 适用于需要高电压稳定性的电子设备。 其正向电压(VF/V)为1.4V, 有助于减少能量损失, 提高系统效率。 该二极管的反向漏电流(IR/uA)仅为8微安, 展示出优异的隔离特性。 同时, 它能够承受最高24A的瞬态正向浪涌电流(IFSM/A), 增强了在复杂电路条件下的可靠性与耐用性, 是追求高性能应用的理想选择。

HC4D02120E特性

暂无产品特性。

HC4D02120E应用领域

暂无应用领域。

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