HC4D02120E
IC
TO-252-2L(DPAK)
可供量大可议
HC4D02120E
此款碳化硅二极管具备2A的正向电流(IF/A), 可承受高达1200V的反向电压(VR/V), 适用于需要高电压稳定性的电子设备。 其正向电压(VF/V)为1.4V, 有助于减少能量损失, 提高系统效率。 该二极管的反向漏电流(IR/uA)仅为8微安, 展示出优异的隔离特性。 同时, 它能够承受最高24A的瞬态正向浪涌电流(IFSM/A), 增强了在复杂电路条件下的可靠性与耐用性, 是追求高性能应用的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L(DPAK)
库存
164
货期
现货
HC4D02120E参数
| 封装 | TO-252-2L(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 164 |
HC4D02120E概述
此款碳化硅二极管具备2A的正向电流(IF/A), 可承受高达1200V的反向电压(VR/V), 适用于需要高电压稳定性的电子设备。 其正向电压(VF/V)为1.4V, 有助于减少能量损失, 提高系统效率。 该二极管的反向漏电流(IR/uA)仅为8微安, 展示出优异的隔离特性。 同时, 它能够承受最高24A的瞬态正向浪涌电流(IFSM/A), 增强了在复杂电路条件下的可靠性与耐用性, 是追求高性能应用的理想选择。
HC4D02120E特性
暂无产品特性。
HC4D02120E应用领域
暂无应用领域。
