HC3M0075120K
IC
TO-247-4L
可供量大可议
HC3M0075120K
这款碳化硅场效应管具有32A的电流承载能力和1200V的耐压特性, 内阻典型值为75mΩ, 适用于高要求场景。 其N型结构和15V的栅源极电压使其在高频开关应用中表现出色, 提升了系统的效率和可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247-4L
库存
1
货期
现货
HC3M0075120K参数
| 封装 | TO-247-4L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
HC3M0075120K概述
这款碳化硅场效应管具有32A的电流承载能力和1200V的耐压特性, 内阻典型值为75mΩ, 适用于高要求场景。 其N型结构和15V的栅源极电压使其在高频开关应用中表现出色, 提升了系统的效率和可靠性。
HC3M0075120K特性
暂无产品特性。
HC3M0075120K应用领域
暂无应用领域。
