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HC3M0075120K
IC

TO-247-4L

可供量大可议

HC3M0075120K

这款碳化硅场效应管具有32A的电流承载能力和1200V的耐压特性, 内阻典型值为75mΩ, 适用于高要求场景。 其N型结构和15V的栅源极电压使其在高频开关应用中表现出色, 提升了系统的效率和可靠性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247-4L

库存

1

货期

现货

HC3M0075120K参数

封装TO-247-4L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅场效应管(MOSFET)
库存1

HC3M0075120K概述

这款碳化硅场效应管具有32A的电流承载能力和1200V的耐压特性, 内阻典型值为75mΩ, 适用于高要求场景。 其N型结构和15V的栅源极电压使其在高频开关应用中表现出色, 提升了系统的效率和可靠性。

HC3M0075120K特性

暂无产品特性。

HC3M0075120K应用领域

暂无应用领域。

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