HC3M0075120D

这款工业级碳化硅N沟道MOSFET采用TO-247封装， 专为高电压、大电流应用设计。 额定击穿电压1200V， 连续电流可达32A， 尤其适用于电源转换器、电机驱动及工业逆变系统， 具备卓越的高温稳定性和低损耗特性， 是严苛环境下高效能电力管理的理想选择。