HC3M0060065K
IC
TO-247-4L
可供量大可议
HC3M0060065K
该款工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装, 专为处理650V高电压、中大电流应用设计。 额定连续电流高达29A, 适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统, 具备优秀的导通性能与散热效能, 是现代工业和消费电子设备的理想功率半导体组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247-4L
库存
13
货期
现货
HC3M0060065K参数
| 封装 | TO-247-4L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 13 |
HC3M0060065K概述
该款工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装, 专为处理650V高电压、中大电流应用设计。 额定连续电流高达29A, 适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统, 具备优秀的导通性能与散热效能, 是现代工业和消费电子设备的理想功率半导体组件。
HC3M0060065K特性
暂无产品特性。
HC3M0060065K应用领域
暂无应用领域。
