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HC3M0060065K
IC

TO-247-4L

可供量大可议

HC3M0060065K

该款工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装, 专为处理650V高电压、中大电流应用设计。 额定连续电流高达29A, 适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统, 具备优秀的导通性能与散热效能, 是现代工业和消费电子设备的理想功率半导体组件。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247-4L

库存

13

货期

现货

HC3M0060065K参数

封装TO-247-4L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅场效应管(MOSFET)
库存13

HC3M0060065K概述

该款工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装, 专为处理650V高电压、中大电流应用设计。 额定连续电流高达29A, 适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统, 具备优秀的导通性能与散热效能, 是现代工业和消费电子设备的理想功率半导体组件。

HC3M0060065K特性

暂无产品特性。

HC3M0060065K应用领域

暂无应用领域。

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