HC3M0060065D
IC
TO-247-3L
可供量大可议
HC3M0060065D
该款工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装, 专为处理650V高电压、大电流应用设计。 具备29A连续电流承载能力, 广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统, 具有低导通电阻和高效散热性能, 是现代电子设备实现高功率密度与能效的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247-3L
库存
33
货期
现货
HC3M0060065D参数
| 封装 | TO-247-3L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 33 |
HC3M0060065D概述
该款工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装, 专为处理650V高电压、大电流应用设计。 具备29A连续电流承载能力, 广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统, 具有低导通电阻和高效散热性能, 是现代电子设备实现高功率密度与能效的理想选择。
HC3M0060065D特性
暂无产品特性。
HC3M0060065D应用领域
暂无应用领域。
