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HC3M0060065D
IC

TO-247-3L

可供量大可议

HC3M0060065D

该款工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装, 专为处理650V高电压、大电流应用设计。 具备29A连续电流承载能力, 广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统, 具有低导通电阻和高效散热性能, 是现代电子设备实现高功率密度与能效的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247-3L

库存

33

货期

现货

HC3M0060065D参数

封装TO-247-3L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅场效应管(MOSFET)
库存33

HC3M0060065D概述

该款工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装, 专为处理650V高电压、大电流应用设计。 具备29A连续电流承载能力, 广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统, 具有低导通电阻和高效散热性能, 是现代电子设备实现高功率密度与能效的理想选择。

HC3M0060065D特性

暂无产品特性。

HC3M0060065D应用领域

暂无应用领域。

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