HC3M0045065K1

该碳化硅MOS元件， 专为高能效电源转换优化， 耐压高至650V， 确保卓越的电路保护。 内阻低至45毫欧最大值， 有助于提升能效， 减少热产生。 49安培的最大电流承载， 针对中流应用精心设计， 完美融合了功率与效率， 是打造新一代绿色电子设备的优选组件。