HC3M0032120K
IC
TO-247-4L
可供量大可议
HC3M0032120K
该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装， 专为1200V高电压应用设计， 额定电流高达63A。 适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动及逆变系统， 具备卓越的高温稳定性、低导通电阻和快速开关性能， 是现代高效能源管理与功率控制的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247-4L
库存
4
货期
现货
HC3M0032120K参数
| 封装 | TO-247-4L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
HC3M0032120K概述
该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装， 专为1200V高电压应用设计， 额定电流高达63A。 适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动及逆变系统， 具备卓越的高温稳定性、低导通电阻和快速开关性能， 是现代高效能源管理与功率控制的理想选择。
HC3M0032120K特性
暂无产品特性。
HC3M0032120K应用领域
暂无应用领域。