HC3M001K170J

这款碳化硅MOS器件专为极端电压环境设计， 具备超高的1700V耐压， 确保在高电压系统中的稳定性和安全性。 虽然内阻较高， 最大为1000毫欧， 但依然适合于那些对电流要求不高而需承受极端电压挑战的精密应用。 提供6安培的电流能力， 是特殊高压环境下， 追求可靠性和耐用性的理想选择。