HC3D20065D1
IC
TO-247
可供量大可议
HC3D20065D1
此碳化硅二极管专为大电流应用设计， 耐压达650V， 能承受20A强电流， 确保高可靠性。 其正向压降低至1.3V， 大幅提升了电能转换效率， 减少能耗与发热， 是高性能电源系统和能效优化解决方案的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
3
货期
现货
HC3D20065D1参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 3 |
HC3D20065D1概述
此碳化硅二极管专为大电流应用设计， 耐压达650V， 能承受20A强电流， 确保高可靠性。 其正向压降低至1.3V， 大幅提升了电能转换效率， 减少能耗与发热， 是高性能电源系统和能效优化解决方案的理想选择。
HC3D20065D1特性
暂无产品特性。
HC3D20065D1应用领域
暂无应用领域。