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HC3D16065D
IC

TO-247

可供量大可议

HC3D16065D

这款碳化硅二极管采用双路并联设计, 每路耐压650V, 合计可承载高达16A电流, 特别适合需要高电流处理能力的应用。 其正向压降仅为1.3V, 有效提升了能效, 减少了工作时的热损耗, 是构建高效、紧凑型电源系统不可或缺的元件。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247

库存

45

货期

现货

HC3D16065D参数

封装TO-247
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存45

HC3D16065D概述

这款碳化硅二极管采用双路并联设计, 每路耐压650V, 合计可承载高达16A电流, 特别适合需要高电流处理能力的应用。 其正向压降仅为1.3V, 有效提升了能效, 减少了工作时的热损耗, 是构建高效、紧凑型电源系统不可或缺的元件。

HC3D16065D特性

暂无产品特性。

HC3D16065D应用领域

暂无应用领域。

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